SiCウェハ、透明ウェハ欠陥検査/レビュー装置SICA88（レーザーテック）

SICA88は、ウェハ表面のエピ欠陥やスクラッチを検出すると同時に、エピ膜内部の基底面内転位（BPD）や積層欠陥（SF）といった結晶欠陥を検出・分析することができます。
表面欠陥と結晶欠陥を同時に検出し判定することで、高感度なトラブルシューティングを可能にしています。

SICA88は、欠陥検査結果を高解像度レビュー画像として取得できます。
また、高精度自動欠陥分類（ADC）機能によって、検出された欠陥項目を細かくカテゴライズすることも可能です。
高解像度の画像が手に入るため、再観察の工数を削減できて、詳細な欠陥レビューを製造プロセスに生かすことができます。

SICA88は、従来の2倍近くのスループットを実現しており、基底面内転位などの検査時にはスループットを落とすことなく検査を進めることが可能です。
ウェハプロセスをはじめとする各プロセスをモニタリングし、欠陥発生のトレーサビリティを確保することで、品質向上に役立てられます。

加工終了後のウェハ表面に残る引っ掻きキズには、目視できる者もあれば光学顕微鏡などを使わなければ認識できないものもあり、スクラッチの形状も様々です。
SICA88は、このようなウェハ表面のスクラッチに関して、欠陥項目を自由に設定することで検出することが可能で、欠陥発生の要因を追及できます。

SICA88は、エピタキシャル層表面の欠陥検出にも対応しています。
コンフォーカルDIC光学系による表面検査を実施することで、エピタキシャル成長過程を管理し、エピウェハの出荷・受入時の欠陥を調べることで、製品の品質を確かめることができます。

SICA88はスクラッチなどの表面欠陥検査に加えて、フォトルミネッセンス検査（PL検査）昨日も搭載しています。
これによって、エピ膜内部の基底面内転位や積層欠陥といった結晶欠陥も同時に検出することが可能になり、より高精度な欠陥解析、品質向上に役立てられます。